超高压SiC模块测试方案_10kV阻断IV曲线扫描-硅科锐达

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超高压SiC模块测试方案

用途：适用于 10 kV 级 SiC MOSFET、IGBT 及功率二极管模块的阻断特性、击穿电压测试

功能：0→10 kV 阻断 IV 曲线自动扫描并判定击穿电压

系统构成：由UHV1500B 高压源测量单元、漏电流测量单元、栅极 SMU和 ATE2000 测试软件等组成

解决方案

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