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专为功率、光电、射频器件晶圆测试设计，支持直流IV、CV、TLP、RF测量8英寸行程，真空吸附，镀镍载片台，适配SiC、GaN、VCSEL、SAW等器件及集成电路测试
专为功率、光电、射频器件晶圆测试设计，支持直流IV、CV、光电及射频S参数测量。温控范围-60℃~200℃，适配2~8英寸晶圆，载片台镀金。适用于PD/APD、SiC、射频芯片等在片测试。
专为功率、光电、射频器件晶圆测试设计，支持10kV/500A高压大电流及IV、CV、TLP、RF测量。8英寸行程，镀镍载片台，安全光幕互锁，适用于SiC、GaN、MOSFET等功率器件在片测试。
公众号
18502873311